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元件参数资料
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参数目录40239
> SI5513CDC-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
型号:
SI5513CDC-T1-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
SI5513CDC-T1-E3 PDF
标准包装
3,000
系列
TrenchFET®
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A,3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
55 毫欧 @ 4.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
4.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
285pF @ 10V
功率 - 最大
3.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
1206-8 ChipFET?
包装
带卷 (TR)
查看SI5513CDC-T1-E3代理商
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